超薄窗膜和阳极键合技术

产品概述

• 采用X射线荧光光谱法进行Be、B、C、N、O和F元素测量时，由于这些元素的特征X射线能量极低，仅为108eV~667eV，属于极软X射线，容易被材料吸收。为了确保这些特征X射线具有较高的透过率并提升探测器的量子效率，通常需要在探测器表面覆盖一层超薄导电窗膜。
• 苏州谱摩科技有限公司提供的超薄PI窗膜，其膜厚度小于0.6um，强度是传统聚丙烯膜的4倍，能高效地透过极软X射线。该膜表面镀有20nm厚的铝膜，以实现导电功能，可用于构建流气正比探测器电场。

下图为电子显微镜拍摄的超薄PI窗膜截面及测量厚度。

• 阳极键合技术利用高温和直流电场，使硅与含可迁移离子的玻璃牢固结合，从而实现结构的高结合强度与优异界面性能。该技术广泛应用于微电子、传感器和半导体设备制造。
• 谱摩科技已掌握这一核心工艺，并成功应用于硅锗弯晶的生产，同时在半导体等领域展现出广阔的应用前景。