阵列探测器紫外增强和软X射线镀膜

产品概述

• 普通的阵列探测器（如前照式CCD和CMOS）的敏感硅吸收层通常覆盖有较厚的二氧化硅、氮化硅及金属层，这些覆盖层在紫外波段会引起强烈的反射、折射和干涉效应，导致紫外探测效率接近于零。
  而消费级背照式CCD和CMOS探测器得表面通常镀有对紫外光具有强吸收作用的高折射率（high‑K）膜，并辅以可见光抗反射膜。后者对紫外光会产生明显的干涉效应，导致消费级的阵列探测器虽然可见光的量子效率高达90%，也无法有效测量紫外波段的信号。
• 如果采用半导体工艺实现阵列探测器对紫外或软X射线的响应，通常需要定制专用芯片，而流片工艺的高额费用会大幅增加整体成本。针对这一问题，谱摩科技依托多年镀膜经验，推出了芯片镀膜服务，即在CCD和CMOS探测器表面镀覆一层荧光转换膜（如Lumogen、GdO₂S）。该荧光膜能够将紫外或软X射线转换为可见光，实现探测器的紫外信号高效接收。
• 经过工艺的不断优化，谱摩科技的 Lumogen 紫外增强膜现已覆盖 180 nm 至 1100 nm 的光谱检测范围，在紫外波段的量子效率可达 22%，且最低响应波长可达 50 nm。
• 镀膜后的消费级CMOS探测器不仅满足 ICP-OES、LIBS、OES 等原子光谱分析行业的需求，也可以应用于半导体领域中193nm波长相关的检测。